四探針電阻率/方阻測(cè)試儀(以下簡(jiǎn)稱電阻率測(cè)試儀)是用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料(主要是硅單晶、鍺單晶、硅片)電阻率，以及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。它主要由電氣測(cè)量部份測(cè)試架及四探針頭組成。本儀器的特點(diǎn)是主機(jī)配置雙數(shù)字表，在測(cè)量電阻率的同時(shí)，另一塊數(shù)字表(以萬(wàn)分之幾的精度)適時(shí)監(jiān)測(cè)全程的電流變化，免除了測(cè)量電流/測(cè)量電阻率的轉(zhuǎn)換，更及時(shí)掌控測(cè)量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源，使測(cè)量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開(kāi)關(guān)，在測(cè)量某些箔層材料時(shí)，可免除探針尖與被測(cè)材料之間接觸火花的發(fā)生，更好地保護(hù)箔膜。儀器配置了本公司的產(chǎn)品：“小游移四探針頭”，探針游移率在0.1～0.2%。保證了儀器測(cè)量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。
四探針電阻率測(cè)試儀如加配HQ-710E數(shù)據(jù)處理器，測(cè)量硅片時(shí)可自動(dòng)進(jìn)行厚度、直徑、探針間距的修正，并計(jì)算、打印出硅片電阻率、徑向電阻率的zui大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均。給測(cè)量帶來(lái)很大方便。
四探針電阻率測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：
(1)測(cè)量范圍：
可測(cè)電阻率：0.0001～19000Ω•cm
可測(cè)方塊電阻：0.001～1900Ω•□
(2)恒流源：
輸出電流：DC0.001～100mA五檔連續(xù)可調(diào)
量程：0.001～0.01mA
0.01～0.10mA
0.10～1.0mA
1.0～10mA
10～100mA
恒流精度：各檔均低于±0.05%
(3)直流數(shù)字電壓表：
測(cè)量范圍：0～199.99mV
靈敏度：10μV
基本誤差：±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)
輸出電源：≥1000ΩM
